MT29F1G08 và MT29F1G16 đều là những thiết bị nhớ 1GB NAND Flash. Công nghệ NAND Flash cung cấp những giải pháp tiên tiến nhất để đáp ứng những đòi hỏi về mật độ lưu trữ cao. Thiết bị MT29F1Gxx sử dụng những đặc điểm của công nghệ NAND Flash được thiết kế để cải thiện cấp hiển thị của hệ thống.
Thiết bị MT29F1Gxx sử dụng bus 8 bit hoặc 16 bit (I/O[7:0] hoặc I/O[15:0]) để truyền dữ liệu, địa chỉ, và cấu trúc thông tin. 5 tín hiệu điều khiển (CLE, ALE, CE#, RE#, WE#) để điều khiển phần cứng kết hợp với WP#, hiển thị trạng thái sẵn sàng hay bận (R/B#), và chức năng BLOCK LOCK (LOCK).
Thiết bị MT29F1Gxx chứa 1024 block có thể xóa được.
Mỗi block được chia thành 64 page có thể ghi được. Mỗi page có 2112 byte (x8), hoặc 1056 word (x16). Những trang này lại được chia thành một vùng lưu trữ dữ liệu gồm 2048 byte với một vùng độc lập gồm 64 byte đối với thiết bị (x8); với thiết bị (x16) thì gồm vùng 1024 word và vùng 32 word. Hai vùng 64 byte và 32 word dùng để chỉnh sửa lỗi.
1GB NAND FLASH MEMORY
MT29F1GxxABB
Trong phần này ta chỉ tìm hiểu 2 dòng 1GB Nand Flash MEMORY là:
MT29F1G08 và MT29F1G16.(x8 & x16).
1. Đặc điểm
* Cấu trúc :
- Kích thước page x8 : có 2212 byte (2048 + 64 byte).
- Kích thước page x16 : có 1056 word (1024 + 32 word).
- Kích thước Block : 64 page (128 K + 4k byte).
- Kích thước của thiết bị : 1GB : 1024 block.
* Thời gian lưu trữ dữ liệu : 10 năm
* VCC: 1.65 - 1.95 V
* Chế độ tự động ghi và xóa dữ liệu.
* Một số lệnh cơ bản của NAND Flash:
- PAGE READ, RANDOM DATA READ, READ ID,
READ STATUS, PROGRAM PAGE, RANDOM DATA
INPUT, PROGRAM PAGE CACHE MODE, INTER-
NAL DATA MOVE, INTERNAL DATA MOVE with
RANDOM DATA INPUT, BLOCK ERASE, RESET.
* Một số lệnh mới :
- PAGE READ CACHE MODE
- READ ID2 (contact factory)
- READ UNIQUE ID (contact factory)
- Programmable I/O
- OTP
- BLOCK LOCK
* Ready/Busy# signal (R/B#):
- Tín hiệu báo hiệu chế độ hoàn thành ?
* LOCK signal :
- Trạng thái bảo vệ khối.
2. Chú thích về ký hiệu tên của NAND Flash Memory “MT29F1GxxABB”
Functional Block Diagram : 1GB NAND Flash
3. Giải thích chức năng các tín hiệu của NAND Flash.
ALE: cho phép chốt địa chỉ: khi ALE ở mức cao thì thông tin địa chỉ sẽ được chuyển từ I/O[7:0] vào thanh ghi địa chỉ bên trong chip.
CE#: Cho phép chip: đây là cổng giao tiếp giữa hệ thống máy chủ và thiết bị NAND Flash.
CLE: Cho phép chốt lệnh: khi CLE ở mức cao, thông tin sẽ được chuyển từ I/O[7:0] vào thanh ghi lệnh bên trong chip ứng với xung kích cạnh lên của chân WE#.
LOCK: khi LOCK ở mức cao thì chức năng BLOCK LOCK được cho phép, để vô hiệu hóa chức năng BLOCK LOCK ta nối LOCK với Vss khi nguồn được cấp hoặc không nối dây nó ()RE#: cho phép đọc: cổng giao tiếp giữa thiết bị NAND Flash với máy chủ.
WE#: cho phép ghi: cổng giao tiếp giữa máy chủ với thiết bị NAND FLash.
WP#: có chức năng ngăn cản việc ghi và xóa. Nghĩa là các chế độ ghi và xóa sẽ không được thực thi khi tín hiệu WP# ở mức thấp.
I/O [7:0]: dữ liệu input/output: bus giao tiếp dữ liệu, địa chỉ và thông tin cấu trúc. Dữ liệu sẽ được lấy ra trong quá trình đọc.
R/B#: tín hiệu này được dùng để báo hiệu thiết bị đã sẵn sàng hay vẫn còn đang bận. Dùng để báo hiệu trong quá trình ghi và xóa hoặc dùng trong quá trình đọc khi mà dữ liệu được chuyển từ mảng bộ nhớ đến thanh ghi dữ liệu. Khi công việc đã hoàn thành thì R/B# lên mức cao- thể hiện trạng thái sẵn sàng để thực hiện công việc tiếp theo.
# : Tích cực mức thấp.
4. Tổ chức cấu trúc của 1G NAND Flash Memory.
5. Bảng trạng thái .
(Theo semiconvn)
